型号：AOD417-VB丝印：VBE2317品牌：VBsemi详细参数说明：- 极性：P沟道- 最大耐压：-30V- 最大电流：-40A- 导通电阻：18mΩ（在10V电压下），25mΩ（在4.5V
2023-12-13 15:04 微碧半导体VBsemi 企业号
### 2SJ417-VB MOSFET 产品简介2SJ417-VB 是一款 P-Channel MOSFET，采用 TO252 封装，适用于需要高效率和低导通电阻的电子电路。该器件具有可靠的性能
2024-07-15 14:50 微碧半导体VBsemi 企业号
(ON)为18mΩ，在4.5V电压下为25mΩ。该产品的门源电压范围为±20V，阈值电压为-1.7V。STU417S采用TO252封装，便于安装和使用。应用领域：
2023-11-30 16:10 微碧半导体VBsemi 企业号
(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V- 阈值电压：Vth=-1.7V应用简介：STU417S-VB是一款P—Channel沟道的功率场效应管，封装为TO252。
2023-12-29 11:24 微碧半导体VBsemi 企业号
**VBsemi P-Channel MOSFET STU417L-VB**- **丝印：** VBE2412- **品牌：** VBsemi- **参数：** - P-Channel沟道
2024-06-17 11:54 微碧半导体VBsemi 企业号
M74C（非 RoHS）双平衡M74C (M74) 连接器版本是双平衡混频器，设计用于军事、商业和测试设备应用。该设计利用肖特基环形四极二极管和宽带软电介质和铁氧体巴伦来获得出色的性能。该混频器还可
2022-12-29 14:58 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
### 一、产品简介**2SJ417-TL-VB MOSFET** 是一款单P-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有高性能和可靠性。该器件采用沟道技术，适用于中功率电子
2024-07-15 14:47 微碧半导体VBsemi 企业号
MT53E1536M32D4DE-046 AAT:C是一款高性能的DDR4 SDRAM内存芯片，由MICRON制造，专为满足现代电子设备对高速内存的需求而设计。该产品具备出色的存储性能和能效，适用于
2025-02-14 07:39 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
900 V、65 mΩ、35 A、TO-263-7 封装、第 3 代分立 SiC MOSFETWolfspeed 扩大了其在碳化硅 (SiC) 技术低电感分立封装领域的领先地位，具有宽爬电距离和漏极
2023-07-24 13:36 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
