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型号：4<b class='flag-s-7'>N03LH</b>0-VB 品牌：微碧

### 一、4N03LH0-VB 产品简介4N03LH0-VB是一款双N沟道MOSFET，采用TO263-7L封装。它具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于需要高功率密度和高效率的电子电路设计。采用

2024-11-12 15:13 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：155<b class='flag-s-7'>N3LH</b>6-VB TO252 品牌：微碧

下面是关于155N3LH6-VB MOSFET产品的详细信息和应用领域说明：### 155N3LH6-VB 产品简介**型号**: 155N3LH6-VB  **封装类型**: TO252

2024-07-06 16:05 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：40<b class='flag-s-7'>N2LH</b>5-VB TO252 品牌：微碧

### 一、40N2LH5-VB 产品简介40N2LH5-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装。该产品具有30V的漏源极电压（VDS），20V的栅源极电压（VGS），1.7V的阈值电压

2024-11-07 17:57 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：86<b class='flag-s-7'>N3LH</b>5-VB 品牌：微碧

### 一、86N3LH5-VB型号的产品简介86N3LH5-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用Trench技术制造，旨在提供高电流承载能力和低导通电阻。其封装为TO252，适合在需要

2024-11-22 15:31 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：95<b class='flag-s-7'>N2LH</b>5-VB TO220 品牌：微碧

### 95N2LH5-VB MOSFET#### 一、产品简介95N2LH5-VB 是一款单 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO220 封装。该器件具有 30V 的漏源电压（VDS），最大栅源

2024-11-25 15:04 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：Y2D-<b class='flag-s-7'>900</b>R表面安装2<b class='flag-s-7'>路</b>功率分配器详解 品牌：

Y2D-900R表面安装2路功率分配器详解产品概述Y2D-900R是一款由Electro-Photonics公司设计的高性能表面安装2路功率分配器，专为高频信号分配和功

2024-10-19 23:28 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：60<b class='flag-s-7'>N3LH</b>5-VB TO220 品牌：微碧

### 产品简介**60N3LH5-VB** 是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO220封装，设计用于中低压应用场合。具有30V的击穿电压和高达70A的连续漏极电流能力，结合了Trench技术

2024-11-15 17:31 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：95<b class='flag-s-7'>N2LH</b>5-VB TO252 品牌：微碧

### 95N2LH5-VB MOSFET 产品简介#### 产品简介95N2LH5-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术（Trench），封装为TO252。该器件适用于需要正向电压

2024-11-25 15:06 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：60<b class='flag-s-7'>N900</b>U2G-VB 品牌：微碧

### 一、60N3LH5-VB产品简介60N3LH5-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装，由VBsemi生产。该器件适用于低压高电流应用，具备30V的漏源电压和高达80A的最大漏极

2024-11-16 09:59 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：HMC<b class='flag-s-7'>900LP5E</b> 品牌：

HMC900LP5E是一款6阶、可编程带宽、完全校准、双通道低通滤波器。 该器件具有0或10 dB输入增益设置并支持3.5至50 MHz范围的任意带宽。校准时，相对所需带宽的精度为±2.5%。 它

2022-05-04 10:28 立年电子科技 企业号