为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的，所以在此汇总一下SiC-SBD的发展，整理一下当
2023-02-22 09:19
为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43
下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列，进行详细介绍
2023-11-01 14:46
关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。
2023-02-08 13:43
SiC SBD的高耐压（反压）特性
2023-12-13 15:27
大家好，本周小赛给大家介绍的是《涨知识啦》系列内容：肖特基势垒二极管(SBD)基本的电流输运机制。 图1展示了SBD外加正向偏置时，器件内部的能带及载流子输运机制。其中，编号1-5分别为： 1. 热
2020-11-02 10:37
罗姆展出了采用沟道构造的SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和MOSFET。沟道型SBD的特点在于，与普通SiC制SBD相比二极管导通电压(以下称导通电压)较低。沟道型SBD
2011-10-12 09:35
SiC SBD具有高耐压、快恢复速度、低损耗和低漏电流等优点，可降低电力电子系统的损耗并显著提高效率。适合高频电源、新能源发电及新能源汽车等多种应用，本文介绍SiC SBD的静态特性和动态特性。
2025-02-26 15:07
SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）和SiC SBD（碳化硅肖特基势垒二极管）是两种基于碳化硅（SiC）材料的功率半导体器件，它们在电力电子领域具有广泛的应用。尽管它们都属于
2024-09-10 15:19
1. 器件结构和特征 SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速
2023-02-07 16:46
