为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的，所以在此汇总一下SiC-SBD的发展，整理一下当
2023-02-22 09:19
下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列，进行详细介绍
2023-11-01 14:46
功能卖点： E5、E5c独特设计环形呼吸灯灵动变换，指引清晰； 中文M-Link2 0操作系统+双芯双系统+多解锁独立工作+智能故障自检+容错处理，软硬件有机组合； 支持指纹+密码+刷卡+钥匙+授权开锁五大开锁方式
2019-12-06 14:33
FLIR E4、E5、E6和E8红外热像仪功能强大、简单易用且价格极为经济实 惠，是建筑、电气和机械应用领域的理想故障排除工具。提供四种分辨率 供选（从80×60到32
2021-02-22 09:49
二极管的正向电压VF无限接近零、对温度稳定是比较理想的，但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面与Si-PND的FRD（快速恢复二极管）进行比较。
2023-02-22 09:18
面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数，所以不仅要比较trr的数值，还要理解其波形和温度特性，这样有助于有效使用二极管。
2023-02-22 09:17
HMC508LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。HMC508LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半
2025-04-30 09:19
HMC507LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。HMC507LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半
2025-04-29 18:09
HMC582LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC582LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出
2025-04-30 11:20
三菱电机新开发了3.3kV金属氧化物半导体场效应管碳化硅模块（SiC-MOSFET），采用了嵌入式肖特基势垒二极管（SBD-Embedded）技术，可以满足铁路应用的高可靠性、高功率和高效率要求
2024-10-31 16:47
