dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB，使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。
2022-03-29 17:53
DV是一份比较全面的试验报告，他从设计验证开始PV是产品已经成型后的一些试验验证，不会去考虑什么模流分析，只会从产品使用失效方面进行相关的测试
2017-12-18 16:20
电源上的高 dV/dt 上升时间会导致下游组件出现问题。在具有大电流输出驱动器的24V供电工业和汽车系统中尤其如此。该设计思想描述了如何控制上升时间，同时限制通过控制FET的功率损耗。
2023-02-13 10:49
高共模噪声是汽车系统设计人员在设计实用而可靠的动力总成驱动系统时必须克服的一个重大问题。当高压逆变电源和其他电源进行高频切换时，共模噪声（又称 dV/dt 噪声）便在系统内自然生成。本文将讨论混合动力系统驱动器内各种 dV/dt 噪声的来源，并提出一些方法来尽量减
2021-03-15 15:16
基本和重要的问题。目前，无线传感器网络定位算法可以分为基于测距和基于非测距的定位算法。基于测距定位常用的测量方法有TOA、TDOA、AOA、RSSI，尽管这些技术相对精度高，但是对硬件要求很高。基于非测距定位常用的测量方法有：DV- Hop、质心、APIT、MDSMAP。
2015-10-06 10:38
。 ,br> MAX12000工作在1575MHz GPS频率，典型串联增益34.8dB，工作电流为25mA。实际设计中，两级LNA允许使用不同的GPS滤波器，为设计提供了很大的灵活性。最终的RF输出
2025-03-18 14:25
通过上述的分析对比，英飞凌隔离型驱动在芯片技术、工作电压、输出电流、副边电源电压、工作结温、传输延时、共模瞬变抗扰度、可靠性、功能性等方面，相对光耦都有明显的优势，是高性能高可靠性隔离型驱动的最佳选择。
2022-04-11 14:51
Design 反相器(DV)是任何产品开发中必不可少的步骤。 作为质量测试的一部分，DV确保设计的产品是与预期的产品spec相同。 不幸的是，许多设计项目没有完成彻底的DV导致产品不符合客户要求期望并需要昂贵车成本去
2023-01-17 16:47
对于SiC FET，Cgdext的计算值为68pF，而且在进行模拟时，电路中包含一个20nH的串联寄生电感（Lpar）。在使用分立器件而且Cgd电容器的连接位置尽可能靠近FET的真实情况下，该寄生电感可以小一些。如果使用FET模块，则电容器可能需要置于模块外，这表示寄生电感会接近20nH。
2021-04-14 15:19
从上个世纪70年代开始，双向可控硅（又称三端双向晶闸管）一直用于控制交流负载，几乎在所有电器上都能看到双向可控硅。当终端设备上的电压上升速率过快时，双向可控硅将会自动触发，从那时起，设计人员就必须面对双向可控硅的这个特性。当设计对电压快速瞬变有要求的电器时，必须考虑这个问题。
2021-03-16 11:16
