的时钟周期传输地址数据。这样就可以节省一半的针脚实现和SRAM的同样功能，这种技术即多路技术（multiplexing）。可以完成同16K SRAM一样的工作。DRAM减少地址引脚的主要原因是以下几个
2010-07-15 11:40
DRAM产能再大，也难以满足全球庞大的市场需求。因此，应该是技术层面的原因。技术才是高科技产业的核心竞争力。3D Flash目前技术在96层，但是
2018-10-12 14:46
DRAM内存原理 不管你信不信，RDRAM (Rambus)、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它们在本质上讲是一样的。RDRAM、DDR RAM
2009-10-21 18:27
DRAM是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制bit是1还是0。与SRAM相比的DRAM的优势在于结构简单，每一个bit的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处
2020-12-10 15:49
使用NI的 FPGA，开辟了一个1294*1040大小的DRAM，在60HZ帧频下按地址一个MCK一个地址的刷新DRAM中的数据，也就是每个地址刷新时间不到17微秒，一开始出现一个数据都写不进去，我
2018-11-07 23:57
在本文中，我们将介绍一种新型的非易失性DRAM，以及它与当前内存技术的比较。DRAM是计算技术中必不可少的组件，但并非没有缺陷。在本文中，我们将研究一种新提出的存储器-
2020-09-25 08:01
来源：电子工程专辑根据内存市场研究机构DRAMeXchange最新出炉的报告，2006年第二季全球DRAM销售额较第一季成长15.5%。主要原因来自于***地区厂商产能持续开出以及第二季DDR
2008-05-26 14:43
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM动态随机存储器（Dynamic RAM），“动态”二字指没隔一段时间就会刷新充电一次，不然内部的数据就会消失。这是因为DRAM的基本单元
2019-09-18 09:05
较高的声望。据了解，有技术人员指出DRAM的微细化极限是20nm，DRAM在单元中的电容器里储存电荷，对有电荷状态分配1、无电荷状态分配0，以此记录信息。但是，随着微细化发展，电容器的表面积越来越小
2015-12-14 13:45
本文介绍了怎样在嵌入式CPU 80C186XL DRAM刷新控制单元的基础上，利用CPLD技术和80C196XL的时序特征设计一个低价格、功能完整的DRAM控制器的方法，并采用VHDL语言编程实现。
2021-04-28 07:10
