电压(VGS)为±20V,最大漏极电流(ID)为10A。该MOSFET在VGS=10V时的导通电阻(RDS(ON))为245mΩ。封装形式为TO252(DPAK)
2025-09-26 10:45 微碧半导体VBsemi 企业号
### IRFR9210TF-VB MOSFET 产品简介IRFR9210TF-VB 是一款单P沟道MOSFET,封装为TO252(DPAK)。它设计用于高耐压、低电流应用,适合处理负电压环境。该
2025-09-26 10:28 微碧半导体VBsemi 企业号
### IRFR9015-VB MOSFET 产品简介IRFR9015-VB 是一款单P沟道MOSFET,封装为TO252(DPAK)。该器件设计用于需要高电流处理能力和低导通电阻的负电压应用场
2025-09-25 17:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、ME50N06GA-VB 产品简介 ME50N06GA-VB是一款**单N沟道MOSFET**,采用**TO252封装**(DPAK),以其优异的导通性能和高电流能力广泛应用
2025-10-11 15:12 微碧半导体VBsemi 企业号
电压(VGS)为±20V,具有-15A的最大漏极电流(ID)和160mΩ的导通电阻(RDS(ON))@VGS=10V。这款MOSFET封装在TO252(DPAK)中
2025-09-25 16:44 微碧半导体VBsemi 企业号
### IRFRC20PBF-VB MOSFET 产品简介IRFRC20PBF-VB 是一款单N沟道MOSFET,封装为TO252(DPAK)。该器件主要用于高耐压应用,能够承受高达650V的漏极
2025-09-26 11:01 微碧半导体VBsemi 企业号