电源设计小贴士44：如何处理高di/dt负载瞬态
2018-08-16 00:05
di/dt水平过高是晶闸管故障的主要原因之一。发生这种情况时，施加到半导体器件上的应力会大大超过额定值并损坏功率元件。在这篇新的博客文章中，我们将解释dv/dt和di/
2023-02-20 17:06
本文中，我们将讨论达到电源输出实际di/dt要求所需的旁路电容大小。
2012-04-23 18:48
本文根据IGBT的短路特性和大功率IGBT模块的结构特点设计了一种新型大功率IGBT模块的短路检测电路，采用两级di/dt检测IGBT两类短路状态的实用方法。
2016-08-17 15:19
由式(5)和式(6)可知，反馈电流IL值为正。IL不能直接加在栅极，以免对栅极电流造成冲击，因此需要引入一个由Q5、Q6组成的镜像电路，将流过Q6的电流镜像到流过Q5的电路上反馈到栅极。这样，实现了对IGBT开通时栅极电流的调控，IGBT开通时di/dt得到控制，
2018-04-17 08:48
ADE7759：带di/dt传感器接口的有功电能计量IC数据表
2021-05-08 18:39
EMI骚扰源有啥特征呢？为何du/dt和di/dt是产生骚扰的条件？ EMI（Electromagnetic Interference，电磁干扰）是指电磁场中的电荷、电流和场的变化引起的一系列电磁波
2023-11-17 15:00
ADS 解决方案是一个集成的仿真和验证环境，能够仿真与高速和高 dI/dt 应用相关的几个关键因素，例如串扰、阻抗、电压尖峰、EMI/EMC、谐振、热分析、通孔电流、寄生电容、和更多。可以使用多种
2022-07-28 08:02
９.３.５di/dt的限制９.３晶闸管第９章双极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产
2022-03-30 09:28 深圳市致知行科技有限公司 企业号
首先，让我们先来看一下SiC MOSFET开关暂态的几个关键参数，图片来源于Cree官网SiC MOS功率模块的datasheet。开通暂态的几个关键参数包括：开通时间ton、开通延迟时间td(on)、开通电流上升率di/dton、开通电压下降率dv/dton，电流上升时间tr
2022-04-27 15:10
