SMGS11砷化镓肖特基二极管SMGS11 是采用模塑塑料 DFN 封装的 GaAs 肖特基二极管。它专为宽带检测器和单二极管混频器而设计。它是单一配置。它具有高截止频率，可在 26.5 GHz
2023-02-13 15:08 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
SMS201硅肖特基二极管SMS201 是采用模制塑料 DFN 封装的硅肖特基二极管。它专为宽带零偏检测器而设计。它具有高截止频率，可在 26.5 GHz 以上用于高达 10 dBm 的功率检测
2023-02-13 15:06 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
### 20NM20N-VB DFN8(5X6) 产品简介20NM20N-VB DFN8(5X6) 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用了沟槽技术制造，具有低导通电阻和高电流处理能力。封装
2024-07-09 16:54 微碧半导体VBsemi 企业号
ESD3.3V88D-LA设计用于保护电压敏感元件免受ESD和瞬态电压事件的影响。优异的夹紧能力、低泄漏和快速响应时间，使这些部件非常适合于用作有效的电路板ESD防护设计。ESD3.3V88D-LAESD3.3V88D-LA产品特性：1.每条线路40瓦峰值脉冲功率（tp=8/20µs）2.保护一条双向I/O线3.低箝位电压4.工作电压：3.3V5.低泄漏电流
2022-11-02 15:07 深圳市优恩半导体有限公司 企业号
### 一、产品简介**085N025S-VB DFN8(5X6)**085N025S-VB 是 VBsemi 公司推出的一款低压 N 沟道 MOSFET，采用 DFN8(5X6) 封装。该产品具有
2024-07-03 17:08 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介`042NE7NS3-VB` 是一种高性能的单N沟道MOSFET，采用DFN8 (5X6) 封装技术，适用于各种高效电力转换和管理应用。### 详细参数说明- **替代
2024-07-02 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介042N03S-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用DFN8(5X6)封装，具有优异的电性能和高功率密度。采用Trench技术制造，适用于中高功率应用，如电源管理和电动工具
2024-07-02 15:06 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介我们从文件中随机选择一个型号 `042N04N-VB` 作为示例：#### 产品简介`042N04N-VB` 是一种高性能的单N沟道MOSFET，采用DFN8 (3X3) 封装技术
2024-07-02 15:08 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：MDU1514URH-VB丝印：VBQA1308品牌：VBsemi参数：- 封装类型：DFN8(5X6)- 沟道类型：N—Channel- 最大漏电压（Vds）：30V- 最大漏极电流（Id
2023-12-29 11:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AP9410GMT-HF-VB 是一款单通道N沟道MOSFET，采用DFN8(5X6)封装，具有低导通电阻和高漏极电流特性，适用于要求高效能和高功率密度的电源管理和功率控制
2024-12-23 16:09 微碧半导体VBsemi 企业号
