### 1. 产品简介**型号:** 6R750E6-VB TO220F **封装:** TO220F **配置:** 单N沟道 **耐压(VDS
2024-11-19 11:15 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:MOSFET型号:6R750E6-VB 封装:TO252 配置:单N沟道 耐压(VDS):650V 栅极-源极电压(VGS
2024-11-19 11:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:IPD60R750E6-VB是一款高耐压的单N沟道MOSFET,采用TO252封装,特别设计用于高电压环境。其最大漏源电压(VDS)为650V,能够承受高达±30V的栅源电压
2025-08-27 11:47 微碧半导体VBsemi 企业号