为 TO252,适用于需要高电流承载能力和低导通电阻的应用场合,如电源管理、电机驱动和开关电路控制。### AM50N06-20D-VB 详细参数说明- **封装 (P
2024-12-02 11:56 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:AM50N06-15D-T1-PF-VB**AM50N06-15D-T1-PF-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 沟道功率 MOSFET,具有高效能和低导通电
2024-12-02 11:55 微碧半导体VBsemi 企业号
GENERAL DESCRIPTIONThe AP50N06 is the N-Channel logic enhancement mode powerfield effect
2023-05-22 14:38 深圳世微半导体有限公司 企业号
### 产品简介**型号:50N06-VB TO220**50N06-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO220封装。它适用于中高功率应用,具有低漏源电压和低导通电阻特性。采用了Trench
2024-11-14 10:45 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**50N06-VB TO263**50N06-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO263封装。它具有漏源极电压(VDS)为60V的特性,适用于中功率电路设计。采用
2024-11-14 10:43 微碧半导体VBsemi 企业号
高性能负载开关和功率控制的应用。### 50N06-VB 详细参数说明- **封装类型**:TO220F- **器件配置**:单 N 沟道- **漏极-源极电压 (V
2024-11-14 10:37 微碧半导体VBsemi 企业号
型号: FQD50N06-VB丝印: VBE1615品牌: VBsemi参数说明:- 沟道类型: N沟道- 额定电压: 60V- 额定电流: 60A- 开启电阻: 9mΩ @ 10V, 11m
2023-12-13 11:45 微碧半导体VBsemi 企业号