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型号：WGC22630是<b class='flag-s-7'>CREE</b>公司推出的一款高性能热增强GaN（ 品牌：

如需咨询请点击左侧关于页面，然后电联（ 切记不要留言 不要留言 留言 留言看不到无法沟通） WGC22630 热增强GaN放大器概述WGC22630是CREE公司推出的一款高性能热增强GaN（氮化镓

2024-10-19 20:09 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：CMPA0527005F 品牌：

CMPA0527005F，CREE/科锐，5W, 0.5 - 2.7 GHz, 50 V,高电子迁移率晶体管CMPA0527005F，CREE/科锐，5W, 0.5 - 2.7 GHz, 50 V

2023-10-17 16:12 深圳市金和信科技有限公司 企业号

型号：CGH40010F 品牌：

CGH40010FCGH40010F 是 Wolfspeed（CREE） 开发的一款无与伦比的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。适用于A类、AB类和线性放大器，能处理多种波形

2023-08-26 15:40 立年电子科技 企业号

型号：CMPA1C1D080F 品牌：

Cree 的 CMPA1C1D080F 是一种封装的 90 W HPA，利用 Cree 的高性能，0.25um GaN on SiC生产工艺。 工作频率为 12.75 - 13.25 GHz范围针对

2022-06-27 17:17 立年电子科技 企业号

型号：CMPA1D1J001S：高性能Ku波段功率放大器 品牌：

深入解析CREE CMPA1D1J001S：高性能Ku波段功率放大器在高频通信和卫星应用中，功率放大器是确保信号传输质量和系统性能的关键组件。CREE推出的CMPA1D1J001S是一款专为Ku波段

2024-04-12 22:58 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：PTRA093818NF-V1 品牌：

描述PTRA093818NF 是一款 415 瓦 LDMOS FET，旨在用于 925 至 960 MHz 频段的多标准蜂窝功率放大器应用。特征包括输入匹配；带无耳法兰的高增益和热增强封装。采用先进的 LDMOS 工艺制造；该器件提供出色的热性能和卓越的可靠性。PTRA093818NF-V1 特征宽带内部输入匹配非对称设计：主 P1dB = 165

2022-07-15 09:30 立年电子科技 企业号

型号：PXAC210552FC-V1 品牌：

描述PXAC210552FC 是一款采用非对称设计的 55 瓦 LDMOS FET，旨在用于 1805 至 2170 MHz 频段的多标准蜂窝功率放大器应用。采用双路径设计；输入输出匹配；以及带有无耳法兰的热增强封装。采用先进的 LDMOS 工艺制造；该器件提供出色的热性能和卓越的可靠性。PXAC210552FC-V1 特征宽带内部匹配非对称 Do

2022-07-14 17:50 立年电子科技 企业号

型号：PXAD184218FV-V1 品牌：

描述PXAD184218FV 是一款采用非对称设计的 420 瓦 (P3dB) LDMOS FET，旨在用于 1805 至 1880 MHz 频段的多标准蜂窝功率放大器应用。特点包括双路径设计；输入输出匹配；带无耳法兰的高增益和热增强封装。采用先进的 LDMOS 工艺制造；该器件提供出色的热性能和卓越的可靠性。PXAD184218FV-V1 特征宽

2022-07-14 17:27 立年电子科技 企业号

型号：CGD1200HB2P-BM2 品牌：

电源支持 75 kHz 开关频率。   技术特点• 优化用于 Cree 的高性能 1200 V BM3 半桥电源模块• 高频、超快速开

2023-08-01 16:20 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：CMPA0060002F-AMP 品牌：

Cree 的 CMPA0060002F 是一种氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 基于单片微波集成电路 (MMIC)。 GaN具有优越的与硅或砷化镓相比的特性，包括更高的击穿率电压

2022-05-18 09:44 立年电子科技 企业号