**产品简介：**VBsemi的070N06N-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用槽沟技术，适用于各种应用。该器件具有低导通电阻、高漏极电流和低门极电压等特点，适用于
2024-07-03 14:33 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的160N10N-VB是一款单N沟道MOSFET，采用了沟槽技术，具有高压承受能力和低导通电阻，适用于高功率负载的开关和控制应用。其封装为DFN8(3X3)，体积小
2024-07-08 13:46 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**型号：240N12N-VB**VBsemi的240N12N-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用了Trench技术制造。它具有100V的漏源电压、35.5A的漏极电流
2024-07-10 15:07 微碧半导体VBsemi 企业号
）。采用沟槽工艺制造，具有低漏阻和高电流特性，适用于各种领域和模块的高性能应用。### 083N10N-VB 详细参数说明- **封装：** TO263- **配置：*
2024-07-03 17:02 微碧半导体VBsemi 企业号
的沟槽技术制造。它具有较低的导通电阻（RDS(ON)），适用于40V的漏源电压（VDS），可提供稳定可靠的功率开关性能。### 170N04N-VB TO252 MO
2024-07-08 14:45 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是VBsemi公司的MOSFET产品075N15N-VB的详细信息：1. 产品简介： 075N15N-VB是一款单N沟道（Single-N-Channe
2024-07-03 14:52 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是VBsemi公司的MOSFET产品052N04N-VB的详细信息：1. 产品简介： 052N04N-VB是一款单N沟道（Single-N-Channe
2024-07-02 16:37 微碧半导体VBsemi 企业号
