GaAs工艺中也可以像传统的Si工艺一样集成无源和有源器件，但GaAs在某些方面会比Si工艺有优势，尤其是高频应用。
2023-07-11 10:42
BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺技术是将双极型晶体管、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）晶体管技术组合在单个芯片上的高级制造工
2024-03-18 09:47
作为全球高速ADC/DAC的领导者，ADI为毫米波5G应用推出了基于SiGe和28nm CMOS工艺的、从基带到毫米波频段的完整链路解决方案，支持最大1.2GHz模拟带宽。
2019-07-24 06:13
采用SiGe：C BiCMOS工艺技术的射频/微波产品 恩智浦将在2010年底前推出超过50种采用SiGe：C技术的产品，其QUBiC4 SiGe：C
2010-05-24 11:06
基于0.35 μm Si CMOS 平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数，在制作放大器中SiGe 器件时，采用钛硅合金(TiSi2)
2019-06-08 09:11
Bi-CMOS工艺将双极型器件（Bipolar）与CMOS工艺结合，旨在融合两者的优势。CMOS具有低功耗、高噪声容限、
2025-03-21 14:21
CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。
2023-07-06 14:25
本文介绍SiGe外延工艺及其在外延生长、应变硅应用以及GAA结构中的作用。 在现代半导体技术中，随着器件尺寸的不断缩小，传统的硅基材料逐渐难以满足高性能和低功耗的需求。SiGe（硅锗）作为一种
2024-12-20 14:17
的成本相对传统的CMOS 要高很多。对于一些用途单一的LCD 和LED高压驱动芯片，它们的要求是驱动商压信号，并没有大功率的要求，所以一种基于传统 CMOS 工艺制程技术的低成本的HV-
2024-07-22 09:40
Pre-CMOS/MEMS 是指部分或全部的 MEMS 结构在制作 CMOS 之前完成，带有MEMS 微结构部分的硅片可以作为 CMOS 工艺的初始材料。
2022-10-13 14:52
