Pre-CMOS/MEMS 是指部分或全部的 MEMS 结构在制作 CMOS 之前完成，带有MEMS 微结构部分的硅片可以作为 CMOS 工艺的初始材料。
2022-10-13 14:52
ADCLK946是一款采用ADI公司专有的XFCB3硅锗（SiGe）双极性工艺制造的超快型时钟扇出缓冲器。这款器件设计用于要求低抖动性能的高速应用。 这款器件具有一个带中心抽头、差分、100
2025-04-11 10:31
近年来，有关将CMOS工艺在射频（RF）技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1GHz，这无疑推动了集成CMOS射频电路的发展。目
2017-11-25 11:07
现阶段，无线连接市场发展迅速，市场规模不断扩张，其中主要驱动力是移动设备以及物联网应用的爆发式增长。在无线连接中射频前端芯片有着关键的作用，目前主要采用GaAs或SiGe工艺，但由于其材料的稀缺性
2018-04-13 12:16
我们不断向先进的CMOS的微缩和新存储技术的转型，导致半导体器件结构的日益复杂化。例如，在3D NAND内存中，容量的扩展通过垂直堆栈层数的增加来实现，在保持平面缩放比例恒定的情况下，这带来了更高
2023-01-06 15:27
CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区
2022-11-14 09:34
根据图像传感器的应用和制造工艺，图像传感器可分为CCD图像传感器和CMOS图像传感器。 特别是CMOS图像传感器（CIS）不仅被搭载于数码相机，还被广泛应用于智能手机、平板电脑、CCTV、汽车黑匣子、无人驾驶车辆传感
2024-01-24 09:30
ADCLK954是一款采用ADI公司专有的XFCB3硅锗（SiGe）双极性工艺制造的超快型时钟扇出缓冲器。这款器件设计用于要求低抖动性能的高速应用。 该器件具有两个可通过IN_SEL控制引脚
2025-04-11 10:54
因为CMOS工艺易于集成化，并且相对较低的电路功耗，所以。个人电脑、互联网络和数字革命，强烈推动了对CMOS集成电路芯片的需求，基于CMOS
2023-07-24 17:05
本文实现了一种正面开口的热电堆结构，采用XeF2作为工作气体干法刻蚀工艺释放器件。相对于刻蚀硅，XeF2气体对铝等材料的刻蚀速率极小，这样就可以采用标准CMOS工艺中最常用的材料
2012-05-02 17:26
