MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS电路，可将标准（易失性）CMOS RAM转换为非易失性存储器。它还会持续监控电源，以在
2025-02-28 10:48
带电池监控器的DS1312非易失性控制器是一个CMOS电路，解决了将CMOS RAM转换为非易失性存储器的应用问题。监控输入功率是否发生超出容差的情况。当检测到这种情况时，芯片使能会被禁止以实现
2025-02-28 09:48
带电池监控器的DS1314非易失性控制器是一个CMOS电路，解决了将CMOS RAM转换为非易失性存储器的应用问题。监控输入功率是否发生超出容差的情况。当检测到这种情况时，芯片使能会被禁止以实现
2025-02-28 09:53
DS1315幻象时间芯片集成了CMOS计时器和非易失性存储器控制器。在没有电源的情况下，外部电池可维持计时操作并为CMOS静态RAM提供电源。该计时器可记录百分之一秒、秒、分、时、星期、日期、月和年
2025-02-28 10:23
双口RAM概述 双口RAM（dual port RAM）在异构系统中应用广泛，通过双口RAM，不同硬件架构的芯片可以实现数据的交互，从而实现通信。
2018-03-21 13:34
有些技术，比如总线，看起来它和一般程序员关系不大。但它却串联起很多问题：为什么片上RAM和外部RAM访问速度有差异；为什么CPU访问外部RAM速度慢；为什么访问IO设备更慢；为什么CPU访问cache比外部
2017-10-31 14:17
MAX1259电池管理器为CMOS RAM、微处理器或其他低功耗逻辑IC提供备用电池切换。当主电源中断时，它会自动切换到备用电池。低损耗开关确保在从主电源提供250mA或从电池提供15mA时，输入到
2025-02-28 10:58
FPGA双口RAM的使用主要涉及配置和使用双端口RAM模块。双端口RAM的特点是有两组独立的端口，可以对同一存储块进行读写操作，从而实现并行访问。
2024-03-15 13:58
ram冲突是几乎每颗芯片都需要关注的问题，部分场景下，ram访问冲突不容易验证到，容易造成芯片bug。ram访问冲突的类型通常有访问接口冲突和访问地址冲突。
2023-11-13 10:44
统计有效数据包的个数。 假设数据中存在pkt_id，pkt_id为0~63，则ram的深度为64。pkt_id用于作为读写地址。RAM读延时为3个时钟周期。
2023-11-17 17:36
