一对N沟道和P沟道 MOS 管以推挽形式工作，构成互补的金属氧化物半导体器件（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS）。
2025-05-12 16:14
本文将对双极性器件与CMOS器件进行比较，帮助用户判断每款器件的适用之处。文中将以高性能超声波设备为例，探讨如何平衡噪声、功耗、芯片占位面积以及集成度等问题。
2011-12-29 11:34
我们或多或少知道，晶体管在数字电路中的主要作用就是一个电子开关，通过电压或者电流，控制这个“开关”开还是关。晶体管大概有两种分类：一种是双极性晶体管（BJT，bipolar junction transistor），另外一种是金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET或者MOS，metal-oxide-semiconductor field effect transistor）。我们这里主要来聊聊MOS了，那个BJT在现在数字IC设计中已经不是主流工艺了。
2018-07-30 10:50
CMOS器件的输入信号上升时间或下降时间统称为输入转换时间，输入转换时间过长也称为慢CMOS输入。如果输入信号上升时间过长，超过器件手册允许的最大输入转换时间，则有可能
2023-10-31 10:39
当器件内部，载流子在不连续的材料上移动时，会随机的遭遇到捕获和释放，进而产生闪烁噪声。
2023-05-08 17:10
这种低功耗的设备完全依靠电流运行，比依靠磁场的竞争对手更上一层楼。 自 旋电子学是超越CMOS的未来探索的萌芽之路。今天的电子器件利用的是电子的电荷，而自旋电子学则利用了另一个关键特性：电子的自旋
2021-02-19 15:20
相移器 一般的相移器很容易用无源或有源的RC网络来构成。这里所说的用锁相环路构成的相移器，则有一些特殊的性能。
2008-04-21 14:54
驱动CMOS器件的十进制一二～十进制变换器
2009-04-10 10:10
利用光互连可以有效地实现宽带、高速和低功耗的数据通信，所以硅光电子集成电路与 CMOS 器件的集成具有较大的市场需求。
2022-09-21 14:17
三十多年来，本本体硅(bulk silicon)MSOFET工艺一直是晶体管器件所采用的主要CMOS工艺。我们非常热衷于从缩小晶体管来提高密度和性能。在相同的成本上具有更快的速度、更大的内存，是一件
2019-05-17 08:22
