是磁感应强度(又称磁通密度)，用B来表示，B的大少除与安匝数有关外，还与线圈中的介质有关。如果介质是空气，那么H和B是线性关系，不存在磁饱和现象；如果介质是铁磁材料时，同一线圈流过同样的电流(H相同)的条件
2019-06-28 17:32
小弟刚接触电子，学做了一个声光控延时开关，用4011做的，声控接与非门1脚，光控接与非门2脚，当同时高电平时触发。成品大问题没有，但是在 调试时发现一个小问题，就是当最黑的时候，也就是2脚电压很高，这时输出的延时时间长， 但是当2脚刚好达到5V左右刚好够触发的时候， 输出延时时间就很短。相差很大。电路的VDD是12V的， 我看资料说4011的输出电平不是应该和VDD有关吗，为什么会变呢？我想是不是因为输出电压大小不一样导致延时的RC电路中电容电充的小了？ 但是这个不太好测，RC电容接了万用表测电压就延时时间更短了。
2012-09-12 22:17
三极管-饱和总结
2012-08-18 08:21
注意应当检查磁通在最小输人电压和最大脉冲宽度的条件下是否临近饱和。由于在输入电压高时，脉冲宽度会变窄，所以磁心是远离饱和的。 5 D( I& R9 K7 [' \ 在瞬变负载时，当输人电压
2011-12-19 15:33
CMOS 電路教程CMOS 電路教程
2013-08-27 12:50
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2013-08-27 12:52
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2013-08-27 12:47
）电路是CMOS输出直接驱动高灵敏度可控硅2N5060的例子。高灵敏度可控硅2N5060在最恶劣的条件下（-65℃），其门电流最大为35μA。要求CMOS输出高电平为14.8V。
2011-12-16 11:49
多种方法实现血氧饱和度测量，有前人的心得和经验总结。都是教授，博士的作品。拜读！！
2013-10-15 19:13
在PC机当中，有一个CMOS RAM芯片，我们一般简称为CMOS，这个芯片的特征如下所示 1、包含一个实时钟和一个有128个存储单元的RAM存储器，关机后其内部的实时钟还是可以正常工作的，RAM当中
2021-07-26 07:55
