利用CMOS影像传感器的血氧饱和度监测系统动脉血氧饱和度是反映人体呼吸功能及氧含量是否正常的重要生理参数。
2009-11-30 10:55
书上只以举例的形式说了NPN管子的放大饱和截止条件，我想问问是不是把NPN管子各状态满足的条件给反过来就是PNP管子的呢？
2023-05-15 10:52
设计。变压器设计相关内容请参照这里。以下总结了变压器的饱和的检查要点和条件设定。＜变压器的饱和的检查要点＞利用示波器和电流探针等观察漏极电流Ids的电流波形变压器饱和时
2018-11-27 16:47
三极管饱和问题总结：1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数
2015-06-04 17:43
CMOS Logic gate对输入逻辑0或1时，CMOS逻辑门并不会从输入或电源拉电流对于前一级，CMOS仅表现为一个电容负载; 对于后一级，表现为电阻（沟道电阻）CMOS
2022-07-08 17:03
制吗？限制的条件是什么？这就要从晶体管的放大状态，进入另一个状态的——饱和状态的讨论。在下面的讨论中，以共发射极电路进行。其它形式的放大电路，都可以用这种方法进行。众所周知，从晶体管的发射极、基极
2012-02-13 01:14
的周期性窄脉冲方式进行的,配合有效的复位机制,使每个像素的复位电平保持为常值。根据CCD过饱和状态的产生条件和CCD信号传输沟道内的电势分布特点,提出了CCD过饱和状态的物理实质,即激光在CCD的受辐照点
2010-04-22 11:42
怎么在O.5μm CMOS工艺条件下设计一种采用电流反馈实现迟滞功能的旁路电压控制电路？
2021-04-14 06:53
晶体管、3微米像素架构和IBM图像传感器电路库访问权限在内的集成设计工具。IBM CMOS技术为图像传感器提供了最为优异的暗环境性能，即拍照手机等消费产品所需的一种在低光照条件下的重要相片拍摄能力
2018-11-19 17:04
是磁感应强度(又称磁通密度)，用B来表示，B的大少除与安匝数有关外，还与线圈中的介质有关。如果介质是空气，那么H和B是线性关系，不存在磁饱和现象；如果介质是铁磁材料时，同一线圈流过同样的电流(H相同)的条件
2019-06-28 17:32
