利用CMOS影像传感器的血氧饱和度监测系统动脉血氧饱和度是反映人体呼吸功能及氧含量是否正常的重要生理参数。
2009-11-30 10:55
书上说三极管工作在饱和区必须是集电结和发射结正偏，但实际应用中集电极接的是VCC，基极电压怎么能比集电极电压高。
2013-09-03 19:53
`书上说：三级管工作在饱和区的条件是，发射结和集电结都正偏。从内部结构上看：当集电结正偏时，发射区扩散到基区的电子在基区是属于少数载流子，而集电结正偏，应该是多数载流子运动，阻碍少数载流子运动，可为
2012-12-21 11:56
为什么只能在mos管的饱和区进行小信号的放大？？三极管区不能进行小信号的放大呢？？
2012-12-23 20:25
如何去调节管子的参数使所有的管子都偏置在饱和区？Vds的变化是D点的电压变化引起的呢？还是S点的电压变化引起的？或者是其他的什么原因？
2021-06-22 07:47
对于AB类输出，M3/M4需要在饱和区么？M3/M4两个管子的漏源压降有没有什么要求，VOUT的静态电压一般怎么给，非常感谢!
2021-06-25 07:04
是用于小信号放大，只要晶体管的静态工作点设置正确，晶体管一般不会进入饱和区。但如果晶体管放大电路处理的是信号幅值较大的信号，例音频功放的输出级，则晶体管极有可能进入饱和区
2012-02-13 01:14
；倍数越大，饱和程度就越深。2.集电极电阻 越大越容易饱和；3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制问题：基极电流达到多少时三极管
2015-06-04 17:43
区（饱和区）的划分有些不太理解。首先，图中可变电阻区的电流ID与VDS成恒定线性关系，感觉Rdson应该是恒定且极小的吧。其次，在恒流区，ID被VGS限制，此时，VDS
2016-12-21 11:39
进入线性要么是M4进入线性。我觉得四个管子都应该是在饱和区才对呀，求指教。请问那我如果想改成自己设定的电流值比如1mA，怎么调整呢？这个是(VGS2-VGS4)/R 但是我调整R时，M2和M4 源端电压会改变啊？
2021-06-24 06:18
