二极管1.1二极管材料开启电压导通电压反向饱和电流硅0.50.6-0.8
2021-11-12 08:46
的MOSFET从跨导的定义来说，由于ID不再增加，因此被定义为饱和区，但为什么又叫做放大区呢？问题分析：（1）可变电阻区表明MOSFET在一定的VGS电压下沟道已经完全
2016-12-21 11:39
;quot;集中"为一个电容，则从电感的等效电路可以看出在某一频率后所呈现的电容特性。三、滤波电感的磁饱和指的是什么？磁饱和后，电感的特性会有怎样的变化？ 答：用导磁材料做芯的电感才会磁
2019-06-28 17:32
关于CMOS 和TTL器件的区别CMOS：互补金属氧化物半导体逻辑器件TTL：晶体管-晶体管逻辑系列器件TTL输出级有两个晶体管，任何时刻只有一个导通，又是被称为图腾柱，或者推拉式输出；
2012-04-25 11:17
三极管-饱和总结
2012-08-18 08:21
，锗和硅之分，导通饱和时，CE间也是导通压降，MOS管，是电压型放大元件，栅极一般在4V时导通，可有-20—+20V栅极电压，根据极性，有N沟道，P沟道，增强型，耗尽型
2012-07-05 10:50
，锗和硅之分，导通饱和时，CE间也是导通压降，MOS管，是电压型放大元件，栅极一般在4V时导通，可有-20—+20V栅极电压，根据极性，有N沟道，P沟道，增强型，耗尽型
2012-07-05 12:14
，锗和硅之分，导通饱和时，CE间也是导通压降，MOS管，是电压型放大元件，栅极一般在4V时导通，可有-20—+20V栅极电压，根据极性，有N沟道，P沟道，增强型，耗尽型
2012-07-06 17:22
，锗和硅之分，导通饱和时，CE间也是导通压降，MOS管，是电压型放大元件，栅极一般在4V时导通，可有-20—+20V栅极电压，根据极性，有N沟道，P沟道，增强型，耗尽型
2012-07-09 17:37
CMOS 電路教程CMOS 電路教程
2013-08-27 12:50
