MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电（少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压（想想U=Q/C）将管子损坏），又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起
2016-04-06 14:21
其实MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。
2022-05-16 15:05
MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。
2016-06-02 11:01
本文开始介绍了击穿电压的概念和击穿电压的主要因素，其次阐述了击穿电压的工作原理以及介绍了影响介电击穿强度的因素，最后介绍了电压击
2018-04-03 16:11
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2012-04-01 11:00
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2018-03-22 15:46
静电感应干扰是累积电荷高电压放电的电击现象。干扰表现是非持续性的，但是可以对电子设备造成永久性损害。用静电计可以测到。可以用抗静电措施与接地等方法消除。
2018-01-18 14:18
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2018-03-27 18:21
