CMOS的静电放电可能会导致电路损坏，而过压可能会导致电路过热，从而影响电路的性能和可靠性。因此，在使用CMOS时，应注意防止静
2023-02-14 16:58
对于模拟CMOS（互补对称金属氧化物半导体）而言，两大主要危害是静电和过压（信号电压超过电源电压）。
2018-08-28 08:53
在使用模拟CMOS电路时，最安全的做法是确保没有超过电源电压的模拟或数字电压施加到器件上，并且电源电压在额定范围内。尽管如此，实施承受过压保护也是有必要的。如果理解了问题的机制，保护措施在大多数情况下都会是行之有效的。
2019-08-19 16:55
由静电荷积累（V=q/C=1kV/nC/pF）而形成的静电电压带来的危害可能击穿栅极与衬底之间起绝缘作用的氧化物(或氮化物)薄层。这项危害在正常工作的电路中是很小的，因为栅极受片内齐纳二极管保护，它可使电荷损耗至安全水平。
2023-05-08 09:37
电路中的过压保护和过流保护的区别 过压保护和
2024-02-06 09:07
过压保护是指被保护线路电压超过预定的最大值时，使电源断开或使受控设备电压降低的一种保护方式。下面我们就来看看过压保护与过流保护之间的
2017-12-04 17:06
IGBT的栅极出现过压的原因: 1.静电聚积在栅极电容上引起过压.
2011-01-29 19:18
由静电荷积累（V=q/C=1kV/nC/pF）而形成的静电电压带来的危害可能击穿栅极与衬底之间起绝缘作用的氧化物(或氮化物)薄层。这项危害在正常工作的电路中是很小的，因为栅极受片内齐纳二极管保护，它可使电荷损耗至安全水平。
2023-05-08 09:36
在插人插座时，CMOS器件与插座之间可能存在大量静电荷。如果插人插座的第一个引脚恰巧没有连接齐纳二极管保护电路，栅极上的电荷会穿过氧化层释放而损坏器件。
2018-03-29 08:41
过欠压保护器和浪涌保护器是电力系统中常见的保护设备，它们的主要作用是保护电气设备免受过电压和欠电压的影响。尽管它们的作用相似，但它们在具体工作原理、适用范围和应用场景等方面存在一些重要的区别。本文
2024-01-17 09:49
