器件在使用过程中最常见的失效模式之一就是电浪涌引起的电过载(EOS)损伤或烧毁。下面简聊下集成电路电浪涌的产生和预防。1. 什么是电浪涌(电过载EOS)  
2022-07-29 10:33 陕西航晶微电子有限公司 企业号
支持一体化实验室建设:5nm集成电路“虚实联动”线下实验室建设。深度合作方式:支持教材编写、师资培训、企业工程师到校上课、学生到企业实践就业、共建产业学院。支持复用现有机房目的成本纯软设计。支持
2024-01-03 10:29 北京革新创展科技有限公司 企业号
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2024-01-03 10:42 北京革新创展科技有限公司 企业号
机制的基础上,可以明确影响放电稳定性和等离子体风速测试技术性能的主要参数包括:激励装置的电参数、电极间距、电极宽度、电极材料、气体的成分及其热力学参数。以上任一个参
2024-07-19 10:40 Aigtek安泰电子 企业号
偏置电压来拉开光注入产生的电子空穴对,从而完成光生载流子过程,因此光电探测器通常在反向状态工作;测试时比较关注暗电流、反向击穿电压、结电容、响应度、串扰等参数。&
2024-09-12 13:37 武汉普赛斯仪表有限公司 企业号
一、标称电容量和允许偏差1、标称电容量是标志在电容器上的电容量,电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差,在允许的偏差范围称精度。2、精度等级与允许误差对应关系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)3、一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,电解电
2022-08-05 13:31 华凯电容(深圳)有限公司 企业号