STI 隔离工艺是指利用氧化硅填充沟槽，在器件有源区之间嵌入很厚的氧化物，从而形成器件之间的隔离。利用STI 隔离工艺可以改善寄生场效应晶体管和闩锁效应。
2024-11-01 13:40
最早的隔离技术是 pn 结隔离，因为加上反向偏压，pn结就能起到很好的天然隔离作用。但是，由于其需要较宽的耗尽层，面积占比和电容均较大，响应速度慢，不适用于集成电路的隔离
2022-11-15 10:23
浅沟道隔离（STI）是芯片制造中的关键工艺技术，用于在半导体器件中形成电学隔离区域，防止相邻晶体管之间的电流干扰。本文简单介绍浅沟道隔离技术的作用、材料和步骤。
2025-03-03 10:00
BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺技术是将双极型晶体管、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）晶体管技术组合在单个芯片上的高级制造工
2024-03-18 09:47
Bi-CMOS工艺将双极型器件（Bipolar）与CMOS工艺结合，旨在融合两者的优势。CMOS具有低功耗、高噪声容限、
2025-03-21 14:21
CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。
2023-07-06 14:25
高性能模拟与混合信号IC领导厂商Silicon Labs （芯科实验室有限公司）日前宣布推出业界首款基于CMOS工艺的数字解决方案，可直接替换光电耦合隔离式栅极驱动器（简称光电耦合驱动器）。新型
2013-05-10 10:32
的成本相对传统的CMOS 要高很多。对于一些用途单一的LCD 和LED高压驱动芯片，它们的要求是驱动商压信号，并没有大功率的要求，所以一种基于传统 CMOS 工艺制程技术的低成本的HV-
2024-07-22 09:40
RTCVD过程可以用来沉积多晶硅、氮化硅和二氧化硅，例如在浅沟槽隔离工艺中使用CVD氧化硅填充沟槽。
2022-11-08 09:52
Pre-CMOS/MEMS 是指部分或全部的 MEMS 结构在制作 CMOS 之前完成，带有MEMS 微结构部分的硅片可以作为 CMOS 工艺的初始材料。
2022-10-13 14:52
