STI 隔离工艺是指利用氧化硅填充沟槽，在器件有源区之间嵌入很厚的氧化物，从而形成器件之间的隔离。利用STI 隔离工艺可以改善寄生场效应晶体管和闩锁效应。
2024-11-01 13:40
7B35：隔离工艺电流输入数据表
2021-04-20 18:11
7B32：隔离工艺电流输入数据表
2021-04-20 14:11
7B39：隔离工艺电流输出数据表
2021-04-25 18:14
3B39：隔离工艺电流输出数据表
2021-05-25 12:52
最早的隔离技术是 pn 结隔离，因为加上反向偏压，pn结就能起到很好的天然隔离作用。但是，由于其需要较宽的耗尽层，面积占比和电容均较大，响应速度慢，不适用于集成电路的隔离
2022-11-15 10:23
浅沟道隔离（STI）是芯片制造中的关键工艺技术，用于在半导体器件中形成电学隔离区域，防止相邻晶体管之间的电流干扰。本文简单介绍浅沟道隔离技术的作用、材料和步骤。
2025-03-03 10:00
CMOS是一个简单的前道工艺，大家能说说具体process吗
2024-01-12 14:55
面，独立的隔离性能研究之一。Lumio先生介绍了基于CMOS的隔离技术的一些问题。在他的论文中，他比较了不同类型的CMOS隔离
2019-07-29 07:56
CMOS工艺，具体的是CMOS结构对集成电路设计有帮助，谢谢
2016-03-18 15:35
