本篇主要针对CMOS电平,详细介绍一下CMOS的闩锁效应。 1、Latch up 闩锁效应是指CMOS电路中固有的寄生可
2020-12-23 16:06
闩锁效应:实际上是由于CMOS电路中基极和集电极相互连接的两个BJT管子(下图中,侧面式NPN和垂直式PNP)的回路放大作用形成的
2023-12-01 14:10
单片机闩锁效应指的是单片机内部金属配线发生熔断的现象,那么导致单片机闩锁效应的因素是什么?单片机开发工程师表示,已知的导致单片机发生闩锁效应的因素有很多个。现总结如下:
2023-07-10 11:21
闩锁(Lanch-up)效应,一般我们也可以称之为擎住效应,是由于IGBT超安全工作区域而导致的电流不可控现象,当然,闩锁效应更多的是决定于IGBT芯片本身的构造。实际工作中我们可能很少听到一种失效率,闩锁失效,今天
2023-04-06 17:32
闩锁效应(Latch-up)是CMOS工艺中一种寄生效应,通常发生在CMOS电路中,当输入电流过大时,内部电流急剧增加,可能导致电路失效甚至烧毁芯片,造成芯片不可逆
2024-12-27 10:11
闩锁(Lanch-up)效应,一般我们也可以称之为擎住效应,是由于IGBT超安全工作区域而导致的电流不可控现象,当然,闩锁效应更多的是决定于IGBT芯片本身的构造。实际工作中我们可能很少听到一种失效率,闩锁失效,今天
2021-02-09 17:05
LU是 Latch Up的简写,即闩锁效应,也叫可控硅效应,表征芯片被触发低阻抗通路后、电源VDD到GND之间能承受的最大电流。非车规芯片的规格书中通常都不会提供这个参数,而车规芯片的规格书中通常都会明确标注出来这个参数。这也是一个极为重要却极容易被电子工程师忽略
2025-03-24 17:02
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2024-08-12 18:31
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2010-03-15 10:25
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2023-12-28 15:13