阈值电压(Vth)。该器件采用沟槽技术制造,具有良好的性能特点。### 15N07-VB 详细参数说明- **VDS(漏极-源极电压):** 60V- **VGS(门
2024-07-06 16:27 微碧半导体VBsemi 企业号
阈值电压(Vth)。该器件采用沟槽技术制造,具有优秀的性能和可靠性。### 15P10-VB 详细参数说明- **VDS(漏极-源极电压):** -100V- *
2024-07-06 17:52 微碧半导体VBsemi 企业号
:** TO251- **配置:** 单路N沟道- **漏极-源极电压(VDS):** 100V- **门极-源极电压(VGS):** ±20V- **门极
2024-12-27 11:56 微碧半导体VBsemi 企业号
:** TO252- **配置:** 单路N沟道- **漏极-源极电压(VDS):** 20V- **门极-源极电压(VGS):** ±20V- **门极
2024-12-27 15:48 微碧半导体VBsemi 企业号
(VGS,±V),3V 的门极阈值电压(Vth)。在 VGS=4.5V 时,其导通电阻(RDS(ON))为10mΩ,在 VGS=10V 时为6mΩ。该器件能够提供最大
2024-07-04 14:24 微碧半导体VBsemi 企业号
(VGS,±V),以及3.5V 的门极阈值电压(Vth)。该器件采用 SJ_Multi-EPI 技术制造,具有高性能和稳定可靠性。### 15NM60ND-VB
2024-07-06 17:39 微碧半导体VBsemi 企业号
(VGS,±V),1.8V 的门极阈值电压(Vth)。在 VGS=10V 时,其导通电阻(RDS(ON))为114mΩ。该器件能够提供最大15A 的漏极电流(ID),并
2024-07-04 16:41 微碧半导体VBsemi 企业号