Pre-CMOS/MEMS 是指部分或全部的 MEMS 结构在制作 CMOS 之前完成，带有MEMS 微结构部分的硅片可以作为 CMOS 工艺的初始材料。
2022-10-13 14:52
近期，加州大学圣巴巴拉分校的研发人员基于传统制备工艺，实现了多层可拉伸电路的制备，并成功制备了LED阵列的可拉伸化。这种工艺
2020-01-31 16:11
近年来，有关将CMOS工艺在射频（RF）技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1GHz，这无疑推动了集成CMOS射频电路的发展。目
2017-11-25 11:07
蒸镀工艺通过高温融化金属材料，蒸发到基膜上实现镀铜/铝，相比于磁控溅射速度更快，效率更高，但由于高温易使基膜变形，在镀铜过程中较少使用；铝的熔点远低于铜，因此蒸镀的温度可以控制在相对更低的水平，可减少高温使基膜变形等问题的发生，因此蒸镀更适合复合铝箔的制备。
2023-01-07 14:13
传统法是在磷酸盐燃料电池的基础上发展起来的。该方法具体制备工艺是：将Pt/C电催化剂与经稀释的PTFE溶液（或粉末）混合，制得分散均匀的催化剂浆料，采用喷涂的方法在扩散层的表面制备催化层，然后在80°C的真空烘箱中烘
2019-06-04 09:45
通过湿法转移二维材料与半导体衬底形成异质结是一种常见的制备异质结光电探测器的方法。在湿法转移制备异质结的过程中，不同的制备工艺细节对二维材料与半导体形成的异质结的性能有
2023-05-26 10:57
本文介绍了N型单晶硅制备过程中拉晶工艺对氧含量的影响。
2025-03-18 16:46
铜基复合材料的制备工艺与综合性能，重点讨论了各种制备工艺的特点、强化机制、构型设计，总结了针对复合界面结合弱与石墨烯分散困难这2类主要技术难点的解决途径，最后对石墨烯增
2023-06-14 16:23
我们不断向先进的CMOS的微缩和新存储技术的转型，导致半导体器件结构的日益复杂化。例如，在3D NAND内存中，容量的扩展通过垂直堆栈层数的增加来实现，在保持平面缩放比例恒定的情况下，这带来了更高
2023-01-06 15:27
压敏电阻的制备关键在于掺杂浓度的把控及后续刻蚀成型工艺的优化；金属引线层则主要起到惠斯通电桥的联通；压力敏感膜的制备主要依托深硅刻蚀工艺；压力腔的封装通常会因压力传感器
2018-05-21 09:37
