10F-10F+ 射频和微波的适配器 Ultra-wideband, DC to 110GHzLow Insertion Loss, 0.27 dB
2023-12-16 13:39 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
10F-10M+ 主要特性 y 超宽带,直流至 110GHz y 低插入损耗,典型值为 0.32 dB。y 直体 y 出色的 VSWR,1.10:1 典型值。10F-10M+ 产品概述
2023-12-16 13:43 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
Mini Circuits 的 10F-185F+ 是系列间射频适配器,连接器长度为 0.74 英寸(长),频率 DC 至 67 GHz,插入损耗 0.12 至 0.53 dB,温度 10 至 40
2023-08-25 10:10 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 25N10F7-VB 产品简介25N10F7-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET,采用了 TO220F 封装。它适用于要求较高电压和电流的应用,具有优异的导通电阻和漏极电流能力
2024-07-10 16:38 微碧半导体VBsemi 企业号
10M-185F+ KEY FEATURES 关键参数y 超宽带,直流至 67GHz y 低插入损耗,0.21 dB(典型值)y 直体 y 出色的 VSWR,1.08:1
2023-12-16 13:47 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 100N10F7-VB 产品简介:100N10F7-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET,封装为 TO220F。该器件具有 100V 的漏极-源极电压(VDS),20V 的栅极-源极
2024-07-04 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 10P6F6-VB 产品简介10P6F6-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET,采用TO220F封装。这款MOSFET具有60V的漏源极电压(VDS),能够在低电压环境中操作。其栅极
2024-07-05 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号