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型号：ZXTN<b class='flag-s-7'>2011</b>G 品牌：

ZXTN2011G  产品简介DIODES 的 ZXTN2011G这款新型低饱和 100V NPN 晶体管采用 SOT223 封装，具有极低的导通状态损耗，非常适合

2023-06-07 20:50 立年电子科技 企业号

型号：IPP-<b class='flag-s-7'>2011</b> 品牌：

IPP-2011  型号简介IPP（Innovative Power Products ）请注意： IPP-2011 是旧型号。尽管 IPP-2011 型号并未停产，但 IPP 建议所有

2023-12-01 10:29 立年电子科技 企业号

型号：DMN<b class='flag-s-7'>2011</b>UFDE 品牌：

DMN2011UFDE 产品简介DIODES 的DMN2011UFDE 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效

2023-06-30 12:07 立年电子科技 企业号

型号：2SK<b class='flag-s-7'>1985</b>-01MR-VB 品牌：微碧

### 产品简介：2SK1985-01MR-VB2SK1985-01MR-VB是一款高压单N沟道功率MOSFET，采用TO220F封装，适用于高效电源转换和开关应用。该器件具有高击穿电压、低导通电

2024-07-17 17:05 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：MAPC-A<b class='flag-s-7'>2011</b> 品牌：

MAPC-A2011是一款高功率GaN on Silicon Carbide HEMT D模式放大器，专为基站应用设计，并针对3.7-4.0 GHz调制信号操作进行了优化。该设备支持7.0 x

2022-10-11 19:11 立年电子科技 企业号

型号：IPP-<b class='flag-s-7'>2011</b> 品牌：

Innovative Power Products 的 IPP-2011 是一款 90 度混合耦合器，频率为 100 至 500 MHz，平均功率为 400 W，插入损耗为 0.4 dB，隔离度为

2022-08-30 14:56 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：ZXTN<b class='flag-s-7'>2011</b>Z 品牌：

ZXTN2011Z 产品简介DIODES 的 ZXTN2011Z 这款采用 SOT89 外形封装的新型低饱和 100V NPN 晶体管具有极低的导通状态损耗，使其非常适合用于 DC-DC

2023-06-07 20:56 立年电子科技 企业号

型号：DMN<b class='flag-s-7'>2011</b>UTS 品牌：

DMN2011UTS 产品简介DIODES 的DMN2011UTS 该 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想

2023-06-30 15:10 立年电子科技 企业号

型号：D<b class='flag-s-7'>2011</b>UK 品牌：

D2011UK是TT Electronics镀金多用途硅 DMOS RF FET。 D2011UK特征简化的放大器设计适用于宽带应用低温RSS简单的偏置电路低噪声高增益 – 最小 16

2022-06-24 20:42 立年电子科技 企业号

型号：DMN<b class='flag-s-7'>2011</b>UFX 品牌：

DMN2011UFX 产品简介DIODES 的DMN2011UFX 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源

2023-06-30 14:52 立年电子科技 企业号