特性和控制方式，可以将其分为增强型和耗尽型两大类。这两种类型的MOS管在结构、工作原理、性能特点以及应用场景等方面都存在显著的差异。本文将对增强型和
2024-05-12 17:13
型MOSFET作为MOSFET的一种重要类型，在电子设计和工程领域中有着其独特的地位。本文将对耗尽型MOSFET的基本概念、特点以及工作原理进行详细的探讨。
2024-05-12 17:19
ARK（方舟微）研发的UltraVt ®超高阈值耗尽型MOSFET包括耐压70V的DMZ0622E系列、耐压100V的DMZ(X)1015E系列、耐压130V的DMZ(X)1315E系列、耐压130V的DMZ(X)1315EL系列等产品。
2023-11-18 16:00
在上述电路中，无需使用其它DC-DC元件，仅使用一颗耗尽型MOSFET，即可将较高的电压转换为稳定的低电压给LDO输入端供电。LDO的输入电压Vin与输出电压VOUT的关系满足：Vin=VOUT+|Vth| (Vth即DMD4523E在一定电流下的阈值电压)
2023-11-08 11:28
根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载
2019-07-06 09:48
当电路工作时，电阻R两端的电压会随着流过的电流的增加而升高，但是由于耗尽型MOSFET的亚阈值特性，其最大电压值不会超过对应电流下的阈值电压，即V R_MAX =|V TH |。因此在该条件下，上述应用可以作为恒流源给IC供电。
2023-11-07 14:39
场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。
2020-10-02 17:42
当栅与衬底之间存在压差时，它们之间存在电场，静电边界条件使多晶硅靠近氧化层界面附近的能带发生弯曲，并且电荷耗尽，从而形成多晶硅栅耗尽区。该耗尽区会在多晶硅栅与栅氧化层之间产生一个额外的串联电容。当栅氧化层厚度减小到
2024-08-02 09:14
本实验活动的目标是进一步强化上一个实验活动 “ADALM2000实验：使用CD4007阵列构建CMOS逻辑功能” 中探讨的CMOS逻辑基本原理，并获取更多使用复杂CMOS门级电路的经验。具体而言，您将了解如何使用
2023-05-29 14:16
场效应管FET（Field Effect Transistor），是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，分为结型（JFET）和绝缘栅型（MOSFET简称MOS）。
2023-11-17 16:26
