和滤波器等模拟电路。MOSFET的设计主要是为了克服FET的缺点，例如高漏极电阻、中等输入阻抗和运行缓慢。按照形式划分，MOSFET有增强型和耗尽型两种。在本文中，小编简单介绍下
2022-09-13 08:00
SMPS的输入电压工作范围有限。或者，可以采用基于耗尽模式MOSFET的方法，如图4所示。耗尽型 MOSFET 提供 PWM IC 启动操作所需的初始电流。在启动阶段之后，辅助绕组将为PWM IC产生
2023-02-21 15:46
谁有multisim中耗尽型MOS管的元件库吗？有指点
2017-06-23 09:45
本帖最后由 dewfn 于 2013-3-27 20:07 编辑 高手进来看看这个电路图是不是画错了MOS管 图上画的是耗尽型，可是我查到的是增强型图上型号是SI4435可是我查到
2013-03-27 13:48
Multisim10.0元件库没P沟道耗尽型MOSFET管，为什么，我其他几种都找到了结型FET增强型FET，耗尽
2012-11-03 10:45
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽
2019-04-08 03:57
耗尽层就是在PN结附近,其中的载流子因扩散而耗尽,只留下不能移动的正负离子的区域,又称空间电荷区.在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离
2017-04-13 10:09
FD-SOI（全耗尽型绝缘层上硅）技术是一种新的工艺技术，有望成为其30纳米以下的技术节点中成本效益最高的制造工艺。如果采用28纳米技术制作一颗晶片，在相同的选件和金属层条件下，FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59
耗尽型的MOS场效应管制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入了大量的正离子，因此，即使栅极不加电压（UGS=0），由于静电感应，这些正离子产生的电场也能在P型衬底中“感应”出足够多的负电荷，形成
2015-06-15 18:03
1.是N沟道，耗尽型的场效应管，是耗尽型。像图上这样的话，带？的那端应该是什么极？是源极还是漏极？ 2.电路不接管子之前电流还可以，接上场效应管，上电就短路，焊下来后测
2023-05-16 14:24
