VBsemi 1N60-VB TO251 MOSFET产品简介:1N60-VB TO251是一款单N沟道场效应管,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-
2024-07-09 13:52 微碧半导体VBsemi 企业号
型号: FQD2N60C-VB丝印: VBE165R02品牌: VBsemi参数:- N沟道- 额定电压:650V- 最大电流:2A- 开通电阻:4300mΩ @ 10V, 3440m
2023-12-19 15:34 微碧半导体VBsemi 企业号
### 20N60C2-VB TO247 产品简介20N60C2-VB TO247 是一款高性能的单N沟道MOSFET,具有高漏极电压和电流处理能力。采用了SJ_Multi-EPI 技术制造,具有低
2024-07-09 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:35N60C3-VB**35N60C3-VB 是一款高性能单N沟道功率MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术制造。该器件封装在TO-247封装中,具有650V的漏源
2024-11-06 14:46 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是VBsemi公司的MOSFET产品06N60C3-VB的详细信息:1. 产品简介: 06N60C3-VB是一款单N沟道(Single-
2024-07-03 14:13 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介47N60C3-VB 是一款单通道 N-Channel MOSFET,设计用于高压应用中的电源开关和电流控制。采用先进的 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO247,提供了
2024-11-11 17:02 微碧半导体VBsemi 企业号
### 07N60C2-VB 产品简介**型号**: 07N60C2-VB **封装**: TO251 **配置**: 单一N沟道 **技术
2024-07-03 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号