本篇主要针对CMOS电平，详细介绍一下CMOS的闩锁效应。 1、Latch up 闩锁效应是指CMOS电路中固有的寄生可
2020-12-23 16:06
单片机闩锁效应指的是单片机内部金属配线发生熔断的现象，那么导致单片机闩锁效应的因素是什么？单片机开发工程师表示，已知的导致单片机发生闩锁效应的因素有很多个。现总结如下：
2023-07-10 11:21
闩锁(Lanch-up)效应，一般我们也可以称之为擎住效应，是由于IGBT超安全工作区域而导致的电流不可控现象，当然，闩锁效应更多的是决定于IGBT芯片本身的构造。实际工作中我们可能很少听到一种失效率，闩锁失效，今天
2023-04-06 17:32
闩锁效应（Latch-up）是CMOS工艺中一种寄生效应，通常发生在CMOS电路中，当输入电流过大时，内部电流急剧增加，可能导致电路失效甚至烧毁芯片，造成芯片不可逆
2024-12-27 10:11
闩锁效应：实际上是由于CMOS电路中基极和集电极相互连接的两个BJT管子(下图中，侧面式NPN和垂直式PNP)的回路放大作用形成的
2023-12-01 14:10
闩锁（Lanch-up）效应，一般我们也可以称之为擎住效应，是由于IGBT超安全工作区域而导致的电流不可控现象，当然，闩锁效应更多的是决定于IGBT芯片本身的构造。实际工作中我们可能很少听到一种失效率，闩锁失效，今天
2021-02-09 17:05
LU是 Latch Up的简写，即闩锁效应，也叫可控硅效应，表征芯片被触发低阻抗通路后、电源VDD到GND之间能承受的最大电流。非车规芯片的规格书中通常都不会提供这个参数，而车规芯片的规格书中通常都会明确标注出来这个参数。这也是一个极为重要却极容易被电子工程师忽略
2025-03-24 17:02
AMAZINGIC晶焱科技如何正确选用SCR架构TVS以避免闩锁效应
2024-08-12 18:31
场效应管和CMOS集成电路的焊接方法 焊接绝缘栅（或双栅）场效应管以及CMOS集成块时，因其输入阻抗很高、极间电容小，少量的静电荷即会感应静电
2010-01-16 10:37
尖峰、静电干扰或高温时，会触发正反馈环路，导致电流在芯片内部无限放大，最终烧毁芯片或迫使系统断电。这一现象即为闩锁效应。 CMOS结构（左）及其等效电路（右） 如何快速判断电路是否存在闩锁？ 如果遇到以下情况，可能是闩锁在作祟： l 电流突然激增： 芯片耗电猛增，
2025-03-21 11:35
