MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）的连续漏极
2024-09-18 09:56
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，它在电子电路中扮演着开关和放大器的角色。MOSFET由四个主要部分组成：源极（Source）、漏极
2024-09-18 09:58
源极和漏极的区别 源极和漏极是晶体
2023-12-07 15:48
mos管源极和漏极的区别 MOSFET，金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种晶体
2023-08-25 14:49
什么是漏极,场效应管的结构原理是什么? 漏极 场效应晶体管（
2010-03-04 15:35
（Source, S）和漏极（Drain, D）是两个关键的电极，它们与栅极（Gate, G）共同构成了MOS管的基本结构。以下是对MOS管源
2024-07-23 14:21
结组成。一个PN结是由P型半导体和N型半导体组成，另一个PN结是由N型半导体和P型半导体组成。漏极、源极和栅极分别位于这两个PN结之间。 1. 漏
2023-11-21 16:00
漏极开路（OD)原理说解 漏极开路（OD)，它与集电极开路（OC）是一致的，就是把下图的三极管改成
2010-03-04 15:38
漏极外接二极管（Drain-Source Diode，简称D-S二极管）在MOSFET电路中起到了重要的作用，本文将介绍MOSFET源
2024-01-31 13:39
MOS芯片是一种常见的电子器件，其中MOS管（MOSFET）是一种常用的三端器件，包括源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。了解MOS
2024-01-10 15:34
