本次仿真的是2006年的论文[1]，结构简单，无三极管，利用CMOS亚阈值导电指数特性做温度补偿替代三极管，极大减小了面积和功耗，能在低压工作，但是温度特性较差。
2023-11-21 18:19
作者 IC_learner 在此特别鸣谢； 今天我就来聊聊基本的器件：CMOS器件及其电路。在后面会聊聊锁存器和触发器。 今天的主要内容如下所示： ·MOS晶体管结构与工作原理简述 ** ·CMOS
2023-01-28 08:16
在MOS管的上下桥驱动中，有这种现象。如下图，一个管子处在米勒平台的时候，会给另一个管子的Vgs电压充电。我用的这个管子的阈值电压最小值是1.4V，这就有可能会导致上下两个管
2024-10-08 17:08
导致大型机器出现严重的散热问题。 图1是典型的5V CMOS驱动器，其50欧姆传输线连接到无源CMOS接收器。 图1.典型的串联终端CMOS传输线 无源接收器意味着它仅对输入端呈现的
2020-12-30 12:53
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的栅极电压控制是MOS管工作中的一个关键参数，它决定了MOS管的导通和截止状态，进而
2024-09-18 09:42
本次仿真的是2018年的论文[1]，无三极管和电阻的，利用CMOS亚阈值导电指数特性做温度补偿替代三极管，极大减小了面积和功耗，能在低压工作，温度特性好，但基准输出值不太好调节。
2023-11-21 18:25
上节我们认识了开关管的第一种电压尖峰的抑制手段，就是利用TVS或者稳压管工作时的电流再次对开关管的门极进行充电，让开关管的门极的变化不在剧烈，因此能让开关
2023-03-10 17:00
二极管的都存在正向导通电压，比如发光二极管1.8～3.2ⅴ、硅管0.5～0.7ⅴ、锗管0.3～0.5v等。低于这个
2021-05-01 17:25
单个晶体管构成的电压放大电路称为单管电压放大电路。晶体管放大电路有三种基本连接方式：共发射极接法、共基极接法和共集电极接
2019-10-14 17:06
传统的带隙电压基准如图1所示，双极型晶体管基极-发射极电压差ΔVBE具有正温度系数，而双极型晶体管基极-发射极电压VBE
2023-12-15 15:47
