综上所述，二极管两端的正偏电压不断增大，会使二极管经历死区、导通和击穿烧坏三个阶段。在正常使用时，二极管两端的电压不能太大。
2019-10-07 15:09
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，它利用电场来控制电流的流动。在MOSFET中，漏极电压（Vd）是指漏极和源极之间的电压。当漏极电压增大时，沟道变窄的现象可以
2024-09-18 09:52
作者 IC_learner 在此特别鸣谢； 今天我就来聊聊基本的器件：CMOS器件及其电路。在后面会聊聊锁存器和触发器。 今天的主要内容如下所示： ·MOS晶体管结构与工作原理简述 ** ·CMOS
2023-01-28 08:16
CMOS电路的最末级，通常是用显现器显现，或者介入继电器控制大电流，或者向远处传送信号等，很少没有不借助晶体管的。
2020-07-10 14:57
我们的控制信号出自MCU（5V的系统），而与门的系统供电是12V的，因此两个电平不兼容，导致了MCU的高低电平统一被与门CMOS芯片识别成低电平。
2020-03-15 17:06
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）的连续漏极电流是指在MOS管
2024-09-18 09:56
电耦合器的输出特性是指在一定的发光电流IF下，光敏管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的关系，当IF=0时，发光二极管不发光，此时的光敏晶体
2019-06-28 09:42
COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。
2020-06-26 05:45
