VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。关于计算，栅电压(V)GATE_max) 总是小于VGSth 在所有mosfet中，那么模块将总是能够在关闭状态下开关MOS(如果MOS没有损坏)。R33/R86的比例
2018-09-23 11:17
的优点，以提高增益、稳定性和频率响应。 优点： 高增益 ： 折叠共源共栅放大器通过级联共源和共栅放大器，实现了更高的增益。 共源
2024-09-27 09:50
。 在一般情况下，共源共栅放大器的增益可以通过以下公式进行估算（注意，这里的公式可能因具体电路和设计而有所不同）： 电压增益 A v 可以用以下形式表示： 其中： g m 1 是输入晶体
2024-09-27 09:45
共源共栅放大器是一种特殊的放大器结构，它结合了共源放大器和共栅放大器的特点。在共源共
2024-02-19 16:15
本次仿真的是2006年的论文[1]，结构简单，无三极管，利用CMOS亚阈值导电指数特性做温度补偿替代三极管，极大减小了面积和功耗，能在低压工作，但是温度特性较差。
2023-11-21 18:19
绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种功率半导体，具有MOSFET 的高速、电压相关栅极开关特性以及 BJT 的最小导通电阻（低饱和
2024-02-27 16:08
影响电流的流动和信号的放大。 栅极电压控制的一般原则 阈值电压（Vth） ： 阈值电压是MOS管从截止状态到导通状态所需的栅
2024-09-18 09:42
本次仿真的是2018年的论文[1]，无三极管和电阻的，利用CMOS亚阈值导电指数特性做温度补偿替代三极管，极大减小了面积和功耗，能在低压工作，温度特性好，但基准输出值不太好调节。
2023-11-21 18:25
凭借庞大的基准电压源产品库，ADI的基准电压源可满足几乎所有应用的需求。
2019-08-07 17:34
本文探讨了 SiC 共源共栅在困难条件下（包括雪崩模式和发散振荡）的性能，并研究了它们在利用零电压开关的电路中的性能。
2022-05-07 16:27
