MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化层半导体场效应晶体管）作为电子工程中的重要元件，其导通条
2024-07-16 11:40
MOS管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型MOS管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。
2021-06-15 15:43
MOS管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型MOS管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。
2024-03-14 15:47
在一般情况下，场效应管（FET）的导通电阻越小越好，因为较小的导通电阻意味着在导通状态下，FET可以提供更低的电阻，允许更大的电流通过。
2024-03-06 16:44
NMOS管的主回路电流方向为D—>S，导通条件为VGS有一定的压差，如 5V（G电位比S电位高）。
2022-08-08 11:15
二极管反向截止的条件是什么？ 二极管反向截止是指在一定的电压条件下，二
2023-09-17 14:15
场效应管导通与截止由栅源电压来操控，关于增强场效应管方面来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一
2019-06-26 16:13
靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应
2019-06-26 16:04
P沟道场效应管（P-channel Field-Effect Transistor，简称P-FET）的导通条件是其能够正常工作的关键要素。以下是关于P沟道场效应管
2024-09-23 17:12
开关电源中的开关管从导通到截止，严格来说是一个非常复杂的过程，但我们在进行工作原理分析的时候，一般都会先对一些非主要问题进行简单化。例如，当电源开关管
2013-01-05 14:54
