`磁芯对电感寄生电容的影响`
2012-08-13 15:11
`磁芯对电感寄生电容的影响`
2012-08-14 09:49
大部分传导 EMI 问题都是由共模噪声引起的。而且，大部分共模噪声问题都是由电源中的寄生电容导致的。对于该讨论主题的第 1 部分，我们着重讨论当寄生电容直接耦合到电源输入电线时会发生的情况1. 只需
2022-11-22 07:29
Time-domain reflectometry (TDR) is commonly used as a convenient method of determining the characteristic impedance of a transmission line or quantifiying reflections caused by discontinuities along or at the termination of a transmission line. TDR can also be used to measure quantities such as the input capacitiance of a voltage probe, the inductance of a jumper wire, the end-to-end capacitance of a resistor, or the effective loading of a PCI card.
2018-10-08 11:40
电容器的寄生作用与杂散电容
2012-08-14 11:29
、电容式传感器在使用过程中常因电容结构不稳定、寄生电容和电容器极板边缘效应的干扰而影响其性能。因此，要设法克服这些不利因素。1.克服结构不稳定的影响对结构的影响首先是温
2017-12-13 11:46
感性负载下，电流相位上会超前电压，因此保证了MOSFET运行的ZVS。要保证MOSFET运行在感性区，谐振电感上的谐振电流必须足够大，以确保MOSFET源漏间等效的寄生电容上存储的电荷可以在死区时间内被
2018-07-18 10:09
大，相对来说也比较稳定。补偿电容图1 一般线性工作的放大器(即引入负反馈的放大电路)的输入寄生电容Cs会影响电路的稳定性，补偿措施如图1所示。放大器的输入端一般存在约几皮法的寄生电容Cs，其频带的上限
2016-01-21 09:36
和马达驱动的应用中，一般都用NMOS管。下面在立深鑫的介绍中，也多以NMOS管为主。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生
2018-10-26 14:32
1. 真实的半导体开关器件都有寄生的并联电阻，实际上来源于导致泄露损耗的漏电流通路模型。器件的正向压降一定意义上也可看作导致导通损耗的串联寄生电阻所产生。2. MOSFET的寄生参数（
2021-10-28 08:17
