LED衬底目前主要是蓝宝石、碳化硅、硅衬底三种。大多数都采用蓝宝石衬底技术。碳化硅是科锐的专利，只有科锐一家使用，成本等核心数据不得而知。
2012-03-15 10:20
SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅）技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体
2012-01-12 10:47
问:为什么现在的CMOS工艺一般都是用P衬底而不是N衬底？两者有什么区别啊？答:为什么CMOS工艺采用P衬底，而不用N
2012-05-22 09:38
硅-硅直接键合技术主要应用于SOI、MEMS和大功率器件，按照结构又可以分为两大类：一类是键合衬底材料，包括用于高频、抗辐射和VSIL的SOI衬底和用于大功率高压器件的
2018-11-23 11:05
认为，毕竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作电压(减少了阻抗变换损耗)，更高的效率并且能够在高频高带宽下大功率射频输出，这就是GaN，无论是在硅基、碳化硅衬底甚至是金刚石衬底的每个应用都表现出色
2019-07-31 07:54
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”
2014-01-24 16:08
，尤其是2010年以后，MACOM开始通过频繁收购来扩充产品线与进入新市场，如今的MACOM拥有包括氮化镓（GaN）、硅锗（SiGe）、磷化铟（InP）、CMOS、砷化镓等技术，共有40多条生产线
2017-09-04 15:02
美国Sandia国家实验室开发的5层多晶硅表面硅MEMS集成工艺代表了这一方向的最高水平，它主要为军方的项目提供表面加工服务。与CMOS集成的机电一体化技术发展：相对体硅
2018-11-05 15:42
，通常将光器件集成在同一硅基衬底上。硅光芯片的具有集成度高、成本低、传输线更好等特点，因为硅光芯片以硅作为集成芯片的
2020-11-04 07:49
TG传输门电路中。当C端接+5，C非端接0时。源极和衬底没有连在一起，为什么当输入信号改变时，其导通程度怎么还会改变？导电程度不是由栅极和衬底间的电场决定的吗？而栅极和衬底间的电压不变。所以其导通程度应该与输入信号变
2012-03-29 22:51
