本篇主要针对CMOS电平，详细介绍一下CMOS的闩锁效应。 1、Latch up 闩锁效应是指CMOS电路中固有的寄生可
2020-12-23 16:06
闩锁效应（Latch-up）是CMOS集成电路中一种危险的寄生效应，可能导致芯片瞬间失效甚至永久烧毁。它的本质是由芯片内部的寄生PNP和NPN双极型晶体管（BJT）相互作用，形成类似可控硅（SCR）的结构，在特定条件
2025-10-21 17:30
闩锁效应（Latch-up）是CMOS工艺中一种寄生效应，通常发生在CMOS电路中，当输入电流过大时，内部电流急剧增加，可能导致电路失效甚至烧毁芯片，造成芯片不可逆
2024-12-27 10:11
在CMOS电路中，存在寄生的PNP和NPN晶体管,它们相互影响在VDD与GND间产生一低阻通路，形成大电流，烧坏芯片，这就是闩锁效应，简称latch-up。
2025-07-03 16:20
1、CMOS是场效应管构成(单极性电路)，TTL为双极晶体管构成（双极性电路） 2、COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作 3、CMOS
2017-12-19 12:38
本文首先介绍了压电效应的概念，其次介绍了压电效应的发现，最后介绍了压电效应的应用现状。
2019-07-18 16:08
压电效应可分为正压电效应和逆压电效应，本文主要介绍了压电效应的原理与逆压电效应的原理及应用。
2017-12-20 17:37
闩锁效应：实际上是由于CMOS电路中基极和集电极相互连接的两个BJT管子(下图中，侧面式NPN和垂直式PNP)的回路放大作用形成的
2023-12-01 14:10
本文主要介绍的是巨磁电阻效应，首先详细的阐述了巨磁阻效应与层结构，其次介绍了巨磁电阻效应的应用，具体的跟随小编一起来了解一下。
2018-05-11 17:19
本文首先介绍了场效应管是什么，然后解释了场效应管的工作原理。
2019-08-14 10:31
