参考上面的CMOS反相器图，由于CMOS器件输入端的电压在5伏和0伏之间变化，因此PMOS和NMOS的状态将相应地不同。
2021-01-21 11:37
，噪声容限为1.8V，高于3.5V为高电平，噪声容限高为1.8V。比TTL有更高的噪声容限。 2、RS485标准 逻辑1的电平为+2～+6V，逻辑0的电平为-2～-6V， 双向传输，半双工通讯
2017-08-26 17:08
什么是TTL电平、CMOS电平、RS232电平？它们有什么区别呢？一般说来，CMOS电平比TTL电平有着更高的噪声容限。
2023-02-07 14:58
规定的TTL电平高平是2.4V，低电平是0.4V。因为噪声容限的存在，2V也认为是高电平 0.8V也认为是低电平，噪声容限越大说明容许的噪声越大，电路的抗干扰性越好。
2020-03-22 16:43
提出一种新型的6管SRAM单元结构，该结构采用读/写分开技术，从而很大程度上解决了噪声容限的问题
2011-11-22 14:50
1.CMOS电平： ‘1’逻辑电平电压接近于电源电压，‘0’逻辑电平接近于0V。噪声容限很大 2.TTL电平： 输出高电平》2.4V，输出低电平《0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V
2019-09-14 10:52
在每个PCB设计中，电路的噪声部分和“安静”部分（非噪声部分）要分隔开。一般来说，数字电路“富含”噪声，而且对噪声不敏感（因为数字电路有较大的电压
2020-03-06 11:39
在高速pcb设计中，有很大一部分工作是进行噪声预算，规划系统各种噪声源产生噪声大小。这就涉及到一个非常基础但十分重要的概念：电压容限。
2018-07-19 17:32
MESFET 热稳定性较差、漏电流较大、逻辑摆幅较小、抗噪声能力较弱。随着频率、功率容限以及低噪声容限需求的增加，砷化镓 MESFET已经达到了其设计上的极限，因为满足这些需求需要更大的饱和电流
2025-05-15 17:43
数字振荡器的相位噪声是一个复杂且多变的参数，它受到多种因素的影响，包括振荡器本身的设计、制造工艺、工作环境以及外部干扰等。因此，无法给出一个具体的、固定的相位噪声值来代表所有数字振荡器。 相位噪声
2024-09-25 10:37
