环栅器件沟道形成是在Si衬底上外延生长SiGe/Si的超晶格结构，然后进行选择性刻蚀形成堆叠Si纳米片沟道。该工艺的关键是：①外延高质量的SiGe/Si超晶格结构，并在浅槽隔离（Shallow Trench Isolation, STI）工艺后保持SiGe/Si的
2022-11-16 10:12
新型的存储器既具有RAM的优点，又有非失易失性特征，同时克服了非易失性写入速度慢且写入次数有限等缺点。 FRAM的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取存储器（RAM）和非易失性存储产品的特性。 当一个电场被加到铁电晶体时，中心原子顺着电场的方向在晶体里移动。当原子移动时，它通过一个能量壁垒，从而引起电荷击穿。内部电路感应到电荷击穿并设置存储器。移去电场后，中心原子保持不动，存储器的状
2020-10-30 16:47
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：金属氧化物半导体的制造 编号：JFKJ-21-207 作者：炬丰科技 概述 CMOS制造工
2023-04-20 11:16
CMOS芯片是一种低耗电存储器，其主要作用是用来存放BIOS中的设置信息以及系统时间日期。CMOS制造工艺也被应用于制作数码影像器材的感光元件。
2017-12-13 18:29
的硬件配置和用户对某些参数的设定。在今日，CMOS制造工艺也被应用于制作数码影像器材的感光元件，尤其是片幅规格较大的单反数码相机。
2023-01-24 16:33
本文主要介绍CMOS集成电路基本制造工艺，特别聚焦于0.18μm工艺节点及其前后的变化，分述如下：前段工序（FrontEnd）；0.18μmCMOS前段工序详解；0.1
2025-03-20 14:12
根据图像传感器的应用和制造工艺，图像传感器可分为CCD图像传感器和CMOS图像传感器。 特别是CMOS图像传感器（CIS）不仅被搭载于数码相机，还被广泛应用于智能手机、
2024-01-24 09:30
BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺技术是将双极型晶体管、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）晶体管技术组合在单个芯片上的高级制造
2024-03-18 09:47
NX8865是一颗应用于苹果手机和Android手机的3.5寸音频头切换IC，它采用CMOS制造工艺，可在3.5寸头的美规和安规上自动切换，使采集苹果手机和Android手机的音频更加方便自如。
2025-02-05 17:24 深圳市纳祥科技有限公司 企业号
赛灵思的最新 PUF IP 由 Verayo 提供，能生成独特的器件“指纹码”，也就是只有器件自己知道的具有强大加密功能的密钥加密密钥（KEK）。PUF 利用 CMOS 制造工艺变量优势（诸如阈值电压、氧化物厚度、金
2019-07-30 09:22
