什么是TTL电平，什么是CMOS电平，他们的区别(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V
2022-01-25 06:19
TTL与CMOS电平详解超级有用
2014-03-12 00:03
TTL电平和CMOS电平标准I-输入范围|O-输出范围|H-高|L-低|TH-Threshold阀值（逻辑界限）。范围是自线的位置往边界延伸“范围是自线的位置往边界延伸”这里能再说的明白些吗？最好
2008-07-21 10:22
1.TTL电平： 输出高电平>2.4V,输出低电平=2.0V，输入低电平
2016-09-25 10:13
1.TTL电平： 输出高电平>2.4V,输出低电平=2.0V，输入低电平
2016-09-23 14:11
的平台，给老司机交流的平台。所有文章来源于项目实战，属于原创。一、电平规范1、名称解释Uoh -> 输出高电平，Uol -> 输出低电平；Uih -> 输入高
2022-01-25 07:56
`电容击穿的概念 电容的电介质承受的电场强度是有一定限度的，当被束缚的电荷脱离了原子或分子的束缚而参加导电，就破坏了绝缘性能，这一现象称为电介质的击穿。 电容器被击穿的条件 电容器被
2018-03-28 10:17
采用p型沟道和n型沟道的三极管来控制导通情况。2者的输出级都提供有源上拉至高态及下拉至低态的机制。TTL器件和CMOS器件有着不同的逻辑电平。典型的CMOS逻辑电路是在5V的电源电压下工作的，他可以将
2012-04-25 11:17
TTL和CMOS是数字电路中两种常见的逻辑电平，LVTTL和LVCMOS是两者低电平版本。TTL是流控器件，输入电阻小，TTL电平器件速度快，驱动能力大，但功耗大。
2019-05-22 08:03
在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极
2017-06-01 15:59
