CMOS工艺平台的Poly 方块电阻有四种类型的电阻,它们分别是n型金属硅化物 Poly 方块电阻、P型金属硅化物 Poly 方块电阻、n 型非金属硅化物
2024-11-29 11:06
单元电路与版图** ** ·CMOS门电路** ** ·CMOS的功耗表示** 老实说,CMOS比较偏微电子器件,微电子器件还真难...这里我就说一些做数字设计或许要了
2023-01-28 08:16
本文章主要详细介绍了pcb版图设计工具,分别有FreePCB、MentorPADS、MentorWG2005。
2019-04-24 17:47
在IC版图设计中除了要体现电路的逻辑或功能确保LVS验证正确外,还要增加一些与LVS(电路匹配)无关的图形,以减小中间过程中的偏差,我们通常称这些图形为dummy layer。 dummy
2017-10-24 10:56
CMOS 工艺技术平台的方块电阻的测试结构是NW方块电阻、PW方块电阻、Poly 方块电阻、AA 方块电阻和金属方块电阻,它们的版图尺寸是依据工艺技术平台的设计规则设计的。
2024-11-27 16:03
CMOS 工艺技术平台的电容包括 MIM 和 PIP (Poly Insulator Poly)。PIP 主要应用在0.35μm及以上的亚微米及微米工艺技术,MIM 主要应用在0.35μm 及以下
2024-12-04 16:14
版图将会对模拟电路性能产生巨大的影响,针对matching要求很低,nmos的body-effect不可小视,current matching即使差到20%~40%,matching最后造成了接近50%的偏差,也就是差不多到了1:600。
2018-02-16 10:02