l. PN结的形成(1)载流子的扩散运动用掺杂工艺在一块完整半导体中，一部分形成P型半导体，另一部分形成N 型半导体。那么，在两种杂质型半导体交界处两侧，P区的空穴（多子）浓度远 大于N区的空穴
2017-07-28 10:12
是我们所说的pn结。p型和n型半导体接触后，在接触面，n型区的多子电子向p型区扩散，同时p型区的多子空穴也向n型区扩散，叫做载流子的扩散。这时在接触面的n型区留下了正电荷，在p型区留下了负电荷。两者正好
2016-11-29 14:52
pn结和pin结是两种最基本的器件结构，也是两种重要的二极管。从结构和导电机理上来说，它们有许多共同点，但是也存在不少的差异。l 相同点：（1）都存在空间电荷区和势垒区，则都有势垒电容；（2）都具有
2013-05-20 10:00
第一章PN结伏安特性曲线当加在二极管两端的电压达到0.7V左右时，二极管正向导通；当反向电压超过U（BR）一定值后就会出现齐纳击穿，当反向电压继续增大就会出现雪崩击穿。温度...
2021-11-15 06:43
重要的地位。▲ Boltzmann常数01实验及数据分析 1.基于2N3904的Boltzmann常数在PN结两边，存在一个由电子-空穴扩散而形成的耗散区，以及伴随着的接触电位区，只有热量动能超过的电子
2020-07-13 07:50
数字照相电子设备变得越来越便携，集成到高质量的解决方案。照相机应用的高性能与小型尺寸常常受到照相机中为互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器供电的低压差（LDO）稳
2022-11-16 06:25
PN结电容分为两部分，势垒电容和扩散电容。 PN结交界处存在势垒区。结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变，从而显现电容效应。 当所加的正向电压升高时，多子(N区的电子、P区的空穴
2021-06-01 07:55
。1、【判断题】单结晶体管有一个PN结，两个基极，因此称为单结三极管。（×）2、【判断题】角频率ω和频率都是反映交流电变化快慢的物理量，ω越大，交流电变化得越慢。（×...
2021-09-17 07:52
传感器应运而生。所谓集成温敏传感器就是将PN结温敏传感器与运放连同外围元件集成在一块芯片上，然后封装而成。 图2为使用集成温敏传感器LM334将温度转换成频率的转换电路(便于计算机识别处理)。LM334
2021-05-21 07:30
比较TTL集成电路与CMOS集成电路元件构成高低电平范围集成度比较：逻辑门电路比较元件构成TTL集成电路使用（transistor）晶体管，也就是PN结。功耗较大，驱动能力强，一般工作电压+5V
2021-07-26 07:33
