在各类电路图中，我们经常可以看到MOSFET在作开关时，其漏极和源极之间有一个寄生二极管，如图1所示。那么这个二
2023-11-14 16:04
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，它利用电场来控制电流的流动。在MOSFET中，漏极电压（Vd）是指漏极和源
2024-09-18 09:52
一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。
2019-06-19 15:13
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，它在电子电路中扮演着开关和放大器的角色。MOSFET由四个主要部分组成：源极（Source）、漏极（Drain）、
2024-09-18 09:58
（plate）和抑制栅极（suppressor grid）。帘栅极是五极管中的一个重要组成部分，它的作用是减少控制栅极和阳极之间
2024-09-24 14:34
栅极（Gate）是晶体管的核心控制结构，位于源极（Source）和漏极（Drain）之间。其功能类似于“开关”，通过施加
2025-03-12 17:33
在电子学中，稳压二极管是一种特殊的半导体器件，它能够将电压稳定在一个特定的水平。这种器件通常用于电源管理、信号处理和保护电路中。在讨论稳压二极管的作用时，我们通常会考虑它在电路中的位置，比如在栅极
2024-09-18 09:48
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）的连续漏极电流是指在MOS管连续工作状态下，从漏
2024-09-18 09:56
漏极开路（OD）输出，跟集电极开路输出是十分类似的。将上面的三极管换成场效应管即可。这样集电极就变成了漏极，OC就变成了
2017-11-09 14:17
在电路中常会遇到漏极开路（Open Drain）和集电极开路（Open Collector）两种情形。漏极开路电路概念中提到的“
2017-11-09 12:11
