结组成。一个PN结是由P型半导体和N型半导体组成，另一个PN结是由N型半导体和P型半导体组成。漏极、源极和栅极分别位于这两个PN结
2023-11-21 16:00
之间的连接是理解该器件工作原理的关键。 MOS管结构简介： MOS管是由一片半导体材料（通常是硅）构成的，通过在硅片上掺杂不同类型的杂质形成两个PN结。这些杂质掺入区域形成了源极和漏
2024-01-10 15:34
磁记忆检测原理与漏磁之间的关系 常规的漏磁检测方法（如磁粉检测）是利用探测铁磁材料表面或近表面缺陷在外部
2010-03-20 11:54
N沟道场效应管栅极（G极）电压是否可以大于漏极（D极）电压？ 大部分情况下，场效应管的
2023-11-23 09:13
缓冲电路来降低线路电感，这是非常重要的。 首先，为您介绍 SiC MOSFET 功率转换电路中，发生在漏极和源极之间的浪涌。 ·
2023-06-21 08:35
源极和漏极的区别 源极和漏极是晶体管中的两个重要
2023-12-07 15:48
MOS管有三个引脚，分别是，栅极G、源极S、漏极D，这三个脚，用于链接外部的电路。其中栅极G是控制引脚，通过改变引脚
2023-02-27 17:41
在电流镜像电路中，有时会把场效应管的源级接Vcc，漏极接地，那么当栅极与漏极相连构成电流镜时，场效应管是怎么导通的？？？
2018-08-09 17:09
开关导通时，线路和电路板版图的电感之中会直接积蓄电能（电流能量）。当该能量与开关器件的寄生电容发生谐振时，就会在漏极和源极之间产生浪涌。下面将利用图1来说明发生浪涌时的
2023-06-29 15:22
根据提问者的意思，N沟道场效应管栅极（G极）电压是否可以大于漏极（D极）电压？为什么？
2023-05-09 09:06
